Transístor MOSFET (Metal-Oxide Semicondutor FET) – Teoria + Ficha de Trabalho (Parte 4/4)

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[…continuação]

Curso Profissional de Técnico de Electrónica, Automação e Comando
11º Ano
Disciplina de Electricidade e Electrónica

Questionário + Problemas

1. Quais dos seguintes dispositivos revolucionaram a indústria dos computadores?
a) O JFET
b) O MOSFET de empobrecimento
c) O MOSFET de enriquecimento
d) O FET de potência

2. A tensão que faz conduzir um MOSFET de enriquecimento é a
a) Tensão porta-fonte de corte
b) Tensão de estrangulamento
c) Tensão de limiar
d) Tensão de condução

3. Qual dos seguintes dados podem aparecer na folha de características de um MOSFET de enriquecimento?
a) VGS(th)
b) IDS(on)
c) VGS(on)
d) Todos os anteriores

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4. A VGS(on) de um MOSFET de enriquecimento de canal tipo n é
a) Menor que a tensão de limiar
b) Igual à tensão porta-fonte de corte
c) Maior que VDS(on)
d) Maior que VGS(th)

5. Uma resistência normal é um exemplo de
a) Um dispositivo de três terminais
b) Uma carga activa
c) Uma carga passiva
d) Um dispositivo de comutação

6. Um MOSFET de enriquecimento com a sua porta ligada ao dreno é um exemplo de
a) Um dispositivo de três terminais
b) Uma carga activa
c) Uma carga passiva
d) Um dispositivo de comutação

7. Um MOSFET de enriquecimento que funciona na zona de corte ou na zona óhmica é um exemplo de:
a) Um dispositivo de três terminais
b) Uma carga activa
c) Uma carga passiva
d) Um dispositivo de comutação

8. CMOS vem de
a) MOS comum
b) Inversão de carga activa
c) Dispositivos de canal p e canal n
d) MOS complementar

9. VGS(on) é sempre
a) Menor que VGS(th)
b) Igual a VDS(on)
c) Maior que VGS(th)
d) Negativa

10. Nos inversores de carga activa o MOSFET superior é um
a) Dispositivo de dois terminais
b) Dispositivo de três terminais
c) Interruptor
d) Resistência pequena

11. A principal vantagem dos CMOS é a sua
a) Alta limitação de potência
b) Funcionamento para pequeno sinal
c) Capacidade de comutação
d) Baixo consumo

Problemas:

1. Calcule RDS(on) para cada um dos seguintes valores de MOSFET de enriquecimento:
a) VDS(on) = 0,1 V e IDS(on) = 10 mA
b) VDS(on) = 0,25 V e IDS(on) = 45 mA
c) VDS(on) = 0,75 V e IDS(on) = 100 mA
d) VDS(on) = 0,15 V e IDS(on) = 200 mA

2. Um MOSFET de enriquecimento tem RDS(on) = 2 Ω quando VGS(on) = 3 V e ID(on) = 500 mA. Se se polariza na zona óhmica, qual é a sua tensão para cada uma destas correntes de dreno?
a) ID(sat) = 25 mA
b) ID(sat) = 50 mA
c) ID(sat) = 100 mA
d) ID(sat) = 200 mA

3. Qual é a tensão no MOSFET de enriquecimento da figura seguinte se VGS = 2,5 V?
Use a tabela dada na ficha

4. Calcule a tensão no dreno da figura seguinte para uma tensão de porta de +3 V. Suponha que RDS(on) tem aproximadamente o mesmo valor que o dado na tabela dada na ficha.

5. Se VGS é alta na figura seguinte, qual é a tensão na resistência de carga?

6. Calcule a tensão no MOSFET de enriquecimento da figura seguinte, para uma tensão de entrada alta.

7. Qual é a corrente no LED da figura seguinte?

8. Um MOSFET de enriquecimento tem estes valores: ID(activa) = 1 mA e VDS(activa) = 10 V. Qual o valor da resistência de dreno na zona óhmica?

9. Qual é a tensão de saída na figura seguinte quando a entrada é baixa?

10. Na figura seguinte, a tensão de entrada é baixa. Qual é a tensão de saída? Se a entrada se tornar alta, qual a tensão de saída?

11. Os MOSFET da figura seguinte têm RDS(on) = 250 Ω e RDS(off) = 5 MΩ. Como é a forma de onda na saída?

12. O MOSFET superior da figura anterior tem estes valores: ID(on) = 1 mA, VDS(on) = 1 V, ID(off) = 1μA e VDS(off) = 10 V. Qual é a tensão de saída quando a entrada é baixa?

13. Uma onda quadrada com um valor de pico de 12 V e uma frequência de 1 kHz é ligada à entrada da figura anterior. Descreva a forma de onda de saída.

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