Imagens de cabeçalho aleatórias... Recarregue a sua página para ver mais!

Transístor MOSFET (Metal-Oxide Semicondutor FET) – Teoria + Ficha de Trabalho (Parte 4/4)

[…continuação]

Curso Profissional de Técnico de Electrónica, Automação e Comando
11º Ano
Disciplina de Electricidade e Electrónica

Questionário + Problemas

1. Quais dos seguintes dispositivos revolucionaram a indústria dos computadores?
a) O JFET
b) O MOSFET de empobrecimento
c) O MOSFET de enriquecimento
d) O FET de potência

2. A tensão que faz conduzir um MOSFET de enriquecimento é a
a) Tensão porta-fonte de corte
b) Tensão de estrangulamento
c) Tensão de limiar
d) Tensão de condução

3. Qual dos seguintes dados podem aparecer na folha de características de um MOSFET de enriquecimento?
a) VGS(th)
b) IDS(on)
c) VGS(on)
d) Todos os anteriores

Por favor faça Login ou Register para poder ler o resto deste post.

Fevereiro 10, 2010   Não há comentários

Transístor MOSFET (Metal-Oxide Semicondutor FET) – Teoria + Ficha de Trabalho (Parte 3/4)

[continuação…]

CMOS

Com o inversor de carga activa que estudámos, a corrente de dreno com a saída baixa é aproximadamente igual a ID(sat). Isso pode criar um problema nos equipamentos que trabalham com pilhas. Uma forma de reduzir a corrente de dreno de um circuito digital é usando o CMOS (MOS complementar), que combina MOSFET de canal n e de canal p.

mosfet12

Q1 é de canal p e Q2 de canal n. Estes dois dispositivos são complementares, o que quer dizer que têm valores iguais e opostos de VGS(th), VGS(on), ID(on), etc.
Assim, um MOSFET conduz quando o outro está ao corte e vice-versa.
Funcionamento Básico (numa aplicação de comutação)
A tensão de entrada pode ser alta (+VDD) ou baixa (0 v). Se for alta, Q1 está ao corte e Q2 conduz. Neste caso, Q2 curto-circuitado leva a tensão de saída a zero.
Se a tensão de entrada é baixa, Q1 conduz e Q2 está ao corte. Agora é o Q1 curto-circuitado que leva a tensão de saída para +VDD.
Como a tensão de saída está invertida em relação à entrada, o circuito chama-se inversor CMOS.
A principal vantagem do CMOS é que o seu consumo é extremamente baixo. Como os MOSFET estão em série, a corrente de dreno no ponto Q é determinada pelo dispositivo que não conduz. Mas como a resistência de entrada de um desses dispositivos é muito alta (Megaohms), o consumo aproxima-se de zero.
Por este motivo é muito usado em calculadoras, relógios digitais, aparelhos para combater a surdez.

Exemplo:

Os MOSFET da figura seguinte têm uma resistência RDS(on) = 100Ω, uma RDS(off) = 1 MΩ. Como é a forma de onda?

mosfet13

Solução:

O sinal de entrada é um impulso rectangular que comuta de 0 para +15 V no ponto A e de +15 V para 0 no ponto B. Antes do ponto A, Q1 está activo e Q2 ao corte. Como Q1 tem uma resistência de 100 Ω, comparado com uma resistência de 1 MΩ em Q2, a tensão de saída eleva-se até aos +15 V.
Entre os pontos A e B a tensão de entrada é de +15 V. Isso provoca o corte de Q1 e a activação de Q2. Neste caso, a resistência baixa de Q2 leva a tensão de saída a um valor aproximadamente igual a zero.
Assim, a forma de onda de saída é mostrada na figura b)

Janeiro 30, 2010   Não há comentários

Protegido: Transístor MOSFET (Metal-Oxide Semicondutor FET) – Teoria + Ficha de Trabalho (Parte 2/4)

Este conteúdo está protegido com uma senha. Para o visualizar, por favor insira a sua senha abaixo:

Janeiro 20, 2010   Introduza a sua senha para ver os comentários.